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IS64WV25616FALL	文件：665.19 Kbytes Page：20 Pages	256Kx16 HIGH SPEED AYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM FEATURES • High-speed access time: 8, 10ns, 12ns • Low Active Current: 35mA (Max., 10ns, I-temp) • Low Standby Current: 10 mA (Max., I-temp) • Single power supply – 1.65V-2.2V VDD (IS61/64WV25616FALL) – 2.4V-3.6V VDD (IS61/64WV25616FBLL) • Three state outputs • Data Control for upper and l 文件：665.19 Kbytes 页数：20 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS64WV25616FALL-12B2A3	文件：665.19 Kbytes Page：20 Pages	256Kx16 HIGH SPEED AYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM FEATURES • High-speed access time: 8, 10ns, 12ns • Low Active Current: 35mA (Max., 10ns, I-temp) • Low Standby Current: 10 mA (Max., I-temp) • Single power supply – 1.65V-2.2V VDD (IS61/64WV25616FALL) – 2.4V-3.6V VDD (IS61/64WV25616FBLL) • Three state outputs • Data Control for upper and l 文件：665.19 Kbytes 页数：20 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS64WV25616FALL-12B2LA3	文件：665.19 Kbytes Page：20 Pages	256Kx16 HIGH SPEED AYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM FEATURES • High-speed access time: 8, 10ns, 12ns • Low Active Current: 35mA (Max., 10ns, I-temp) • Low Standby Current: 10 mA (Max., I-temp) • Single power supply – 1.65V-2.2V VDD (IS61/64WV25616FALL) – 2.4V-3.6V VDD (IS61/64WV25616FBLL) • Three state outputs • Data Control for upper and l 文件：665.19 Kbytes 页数：20 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS64WV25616FALL-12BA3	文件：665.19 Kbytes Page：20 Pages	256Kx16 HIGH SPEED AYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM FEATURES • High-speed access time: 8, 10ns, 12ns • Low Active Current: 35mA (Max., 10ns, I-temp) • Low Standby Current: 10 mA (Max., I-temp) • Single power supply – 1.65V-2.2V VDD (IS61/64WV25616FALL) – 2.4V-3.6V VDD (IS61/64WV25616FBLL) • Three state outputs • Data Control for upper and l 文件：665.19 Kbytes 页数：20 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS64WV25616FALL-12BLA3	文件：665.19 Kbytes Page：20 Pages	256Kx16 HIGH SPEED AYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM FEATURES • High-speed access time: 8, 10ns, 12ns • Low Active Current: 35mA (Max., 10ns, I-temp) • Low Standby Current: 10 mA (Max., I-temp) • Single power supply – 1.65V-2.2V VDD (IS61/64WV25616FALL) – 2.4V-3.6V VDD (IS61/64WV25616FBLL) • Three state outputs • Data Control for upper and l 文件：665.19 Kbytes 页数：20 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS64WV25616FALL-12CTLA3	文件：665.19 Kbytes Page：20 Pages	256Kx16 HIGH SPEED AYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM FEATURES • High-speed access time: 8, 10ns, 12ns • Low Active Current: 35mA (Max., 10ns, I-temp) • Low Standby Current: 10 mA (Max., I-temp) • Single power supply – 1.65V-2.2V VDD (IS61/64WV25616FALL) – 2.4V-3.6V VDD (IS61/64WV25616FBLL) • Three state outputs • Data Control for upper and l 文件：665.19 Kbytes 页数：20 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

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