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IS64WV25616EDBLL-10BA3集成电路(IC)存储器规格书PDF中文资料

IS64WV25616EDBLL-10BA3
厂商型号

IS64WV25616EDBLL-10BA3

参数属性

IS64WV25616EDBLL-10BA3 封装/外壳为48-TFBGA;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA

功能描述

256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA

文件大小

751.82 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 Integrated Silicon Solution Inc
企业简称

ISSIISSI公司

中文名称

ISSI有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-4-28 21:44:00

IS64WV25616EDBLL-10BA3规格书详情

IS64WV25616EDBLL-10BA3属于集成电路(IC) > 存储器。ISSI有限公司制造生产的IS64WV25616EDBLL-10BA3存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

产品属性

  • 产品编号:

    IS64WV25616EDBLL-10BA3

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 异步

  • 存储容量:

    4Mb(256K x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    10ns

  • 电压 - 供电:

    2.4V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    48-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    48-TFBGA(6x8)

  • 描述:

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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