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IS64WV10248EDBLL-10BA3

1M x 8 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC

FEATURES • High-speed access times: 8, 10, 20 ns • High-performance, low-power CMOS process • Multiple center power and ground pins for greater noise immunity • Easy memory expansion with CE and OE options • CE power-down • Fully static operation: no clock or refresh required • TTL compat

文件:522.82 Kbytes 页数:18 Pages

ISSI

矽成半导体

IS64WV25616EDBLL-10BLA3

TFBGA-48(6x8)

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

IS64WV51216EDBLL-10BLA3-TR

TFBGA-48(6x8)

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

IS65C1024AL-45QLA3

SOP-32-11.3mm

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

IS65C1024AL-45QLA3-TR

SOP-32-11.3mm

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

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更多IS64WV10248EDBLL-10BA3供应商 更新时间2025-12-15 13:02:00