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IS64WV102416FBLL-10CT2LA3

1Mx16 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V/1.8V SUPPLY

FEATURES  High-speed access time: 8ns, 10ns, 20ns  High- performance, low power CMOS process  Multiple center power and ground pins for greater noise immunity  TTL compatible inputs and outputs  Single power supply – 1.65V-2.2V VDD (IS61WV102416FALL) – 2.4V-3.6V VDD (IS61/64WV102416FB

文件:716.66 Kbytes 页数:19 Pages

ISSI

矽成半导体

IS64WV25616EDBLL-10BLA3

TFBGA-48(6x8)

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

IS64WV51216EDBLL-10BLA3-TR

TFBGA-48(6x8)

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

IS65C1024AL-45QLA3

SOP-32-11.3mm

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

IS65C1024AL-45QLA3-TR

SOP-32-11.3mm

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

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