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IS64WV102416EDBLL-12BA3

1Mx16 HIGH SPEED AYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM with ECC

FEATURES  High-speed access time: 10ns, 12ns  Single power supply – 1.65V-2.2V VDD(IS61/64WV102416EDALL) – 2.4V-3.6V VDD (IS61/64WV102416EDBLL)  Error Detection and Correction with optional ERR1/ERR2 output pin: - ERR1 pin indicates 1-bit error detection and correction. - ERR2 pin indi

文件:761.29 Kbytes 页数:19 Pages

ISSI

矽成半导体

IS64WV25616EDBLL-10BLA3

TFBGA-48(6x8)

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

IS64WV51216EDBLL-10BLA3-TR

TFBGA-48(6x8)

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

IS65C1024AL-45QLA3

SOP-32-11.3mm

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

IS65C1024AL-45QLA3-TR

SOP-32-11.3mm

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

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更多IS64WV102416EDBLL-12BA3供应商 更新时间2025-11-24 18:41:00