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IS64WV102416DALL-12BA3

1Mx16 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V/1.8V SUPPLY

FEATURES • High-speed access time: 10ns, 12ns • High- performance, low power CMOS process • Multiple center power and ground pins for greater noise immunity • Easy memory expansion with CS# and OE# • TTL compatible inputs and outputs • Single power supply – 1.65V-2.2V VDD (IS61/64WV102416D

文件:514.78 Kbytes 页数:18 Pages

ISSI

矽成半导体

IS64WV25616EDBLL-10BLA3

TFBGA-48(6x8)

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

IS64WV51216EDBLL-10BLA3-TR

TFBGA-48(6x8)

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

IS65C1024AL-45QLA3

SOP-32-11.3mm

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

IS65C1024AL-45QLA3-TR

SOP-32-11.3mm

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

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更多IS64WV102416DALL-12BA3供应商 更新时间2025-11-23 11:01:00