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IS64LV25616AL-12TA2

256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY

文件:125.46 Kbytes 页数:14 Pages

ISSI

矽成半导体

IS64LV25616AL-12TA3

256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY

文件:125.46 Kbytes 页数:14 Pages

ISSI

矽成半导体

IS64LV25616AL-12TLA2

256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY

文件:125.46 Kbytes 页数:14 Pages

ISSI

矽成半导体

IS64LV25616AL-12TLA3

256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY

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ISSI

矽成半导体

IS64LV25616AL-12TA3-TR

Package:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽);包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS64LV25616AL-12TLA3

Package:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽);包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IS64LV25616AL-12TLA3-TR

Package:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽);包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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产品属性

  • 产品编号:

    IS64LV25616AL-12TA3

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 异步

  • 存储容量:

    4Mb(256K x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    12ns

  • 电压 - 供电:

    3.135V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    44-TSOP II

  • 描述:

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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ISSI, Integrated Silicon Solut
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更多IS64LV25616AL-12T供应商 更新时间2025-12-11 16:31:00