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IS64LF25636B-7.5B3A3

256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM

FEATURES • Internal self-timed write cycle • Individual Byte Write Control and Global Write • Clock controlled, registered address, data and control • Burst sequence control using MODE input • Three chip enable option for simple depth expansion and address pipelining • Common data inputs a

文件:830.68 Kbytes 页数:33 Pages

ISSI

矽成半导体

IS64LPS12832A-200TQLA3

LQFP-100(14x20)

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

IS64LV25616AL-12BLA3

MBGA-48(8x10)

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

IS64WV25616EDBLL-10BLA3

TFBGA-48(6x8)

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

IS64WV51216EDBLL-10BLA3-TR

TFBGA-48(6x8)

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

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更多IS64LF25636B-7.5B3A3供应商 更新时间2025-12-5 16:44:00