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IS64LF12836C-6.5B3A3

128K x36/32 and 256K x18 4Mb, ECC, SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH SRAM

FEATURES  Internal self-timed write cycle  Individual Byte Write Control and Global Write  Clock controlled, registered address, data and control  Burst sequence control using MODE input  Three chip enable option for simple depth expansion and address pipelining  Common data inputs an

文件:2.40485 Mbytes 页数:36 Pages

ISSI

矽成半导体

IS64LPS12832A-200TQLA3

LQFP-100(14x20)

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

IS64LV25616AL-12BLA3

MBGA-48(8x10)

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

IS64WV25616EDBLL-10BLA3

TFBGA-48(6x8)

ISSI(美国芯成)

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ISSI(美国芯成)

IS64WV51216EDBLL-10BLA3-TR

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更多IS64LF12836C-6.5B3A3供应商 更新时间2025-11-21 10:47:00