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IS63LV1024L-8H	文件：45.6 Kbytes Page：9 Pages	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT DESCRIPTION The ISSIIS63LV1024/IS63LV1024L is a very high-speed, low power, 131,072-word by 8-bit CMOS static RAM in revolutionary pinout. The IS63LV1024/IS63LV1024L is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design t 文件：45.6 Kbytes 页数：9 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS63LV1024L-8J	文件：45.6 Kbytes Page：9 Pages	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT DESCRIPTION The ISSIIS63LV1024/IS63LV1024L is a very high-speed, low power, 131,072-word by 8-bit CMOS static RAM in revolutionary pinout. The IS63LV1024/IS63LV1024L is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design t 文件：45.6 Kbytes 页数：9 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS63LV1024L-8JI	文件：45.6 Kbytes Page：9 Pages	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT DESCRIPTION The ISSIIS63LV1024/IS63LV1024L is a very high-speed, low power, 131,072-word by 8-bit CMOS static RAM in revolutionary pinout. The IS63LV1024/IS63LV1024L is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design t 文件：45.6 Kbytes 页数：9 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS63LV1024L-8JI	文件：614.95 Kbytes Page：18 Pages	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT 文件：614.95 Kbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

详细参数

型号：
IS63LV1024L-8H
制造商：
ISSI
制造商全称：
Integrated Silicon Solution, Inc
功能描述：
128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 3.3V REVOLUTIONARY PINOUT

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