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IS62WV5128EHBLL-45BI	文件：843.83 Kbytes Page：18 Pages	512Kx8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES  High-speed access time: 45ns, 55ns  CMOS low power operation – Operating Current: 32 mA (max.) – CMOS Standby Current: 3.2 uA (typ., 25°C)  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V-2.2V VDD (IS62/65WV5128EHALL) – 2.2V-3.6V VDD (IS62/65WV5128EHBLL)  Option 文件：843.83 Kbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV5128EHBLL-45BL	文件：843.83 Kbytes Page：18 Pages	512Kx8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES  High-speed access time: 45ns, 55ns  CMOS low power operation – Operating Current: 32 mA (max.) – CMOS Standby Current: 3.2 uA (typ., 25°C)  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V-2.2V VDD (IS62/65WV5128EHALL) – 2.2V-3.6V VDD (IS62/65WV5128EHBLL)  Option 文件：843.83 Kbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV5128EHBLL-45BLI	文件：843.83 Kbytes Page：18 Pages	512Kx8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES  High-speed access time: 45ns, 55ns  CMOS low power operation – Operating Current: 32 mA (max.) – CMOS Standby Current: 3.2 uA (typ., 25°C)  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V-2.2V VDD (IS62/65WV5128EHALL) – 2.2V-3.6V VDD (IS62/65WV5128EHBLL)  Option 文件：843.83 Kbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV5128EHBLL-45HL	文件：843.83 Kbytes Page：18 Pages	512Kx8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES  High-speed access time: 45ns, 55ns  CMOS low power operation – Operating Current: 32 mA (max.) – CMOS Standby Current: 3.2 uA (typ., 25°C)  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V-2.2V VDD (IS62/65WV5128EHALL) – 2.2V-3.6V VDD (IS62/65WV5128EHBLL)  Option 文件：843.83 Kbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

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更多IS62WV5128EHBLL-45BI供应商更新时间2025-11-25 17:20:00

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