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IS62WV5128BLL-55T2I	文件：286.39 Kbytes Page：17 Pages	512K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM DESCRIPTION The ISSI IS62WV5128ALL / IS62WV5128BLL are high speed, 4M bit static RAMs organized as 512K words by 8 bits. It is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields high performance and low 文件：286.39 Kbytes 页数：17 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV5128BLL-55T2LI	文件：286.39 Kbytes Page：17 Pages	512K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM DESCRIPTION The ISSI IS62WV5128ALL / IS62WV5128BLL are high speed, 4M bit static RAMs organized as 512K words by 8 bits. It is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields high performance and low 文件：286.39 Kbytes 页数：17 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV5128BLL-55TI	文件：286.39 Kbytes Page：17 Pages	512K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM DESCRIPTION The ISSI IS62WV5128ALL / IS62WV5128BLL are high speed, 4M bit static RAMs organized as 512K words by 8 bits. It is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields high performance and low 文件：286.39 Kbytes 页数：17 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV5128BLL-55TLI	文件：286.39 Kbytes Page：17 Pages	512K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM DESCRIPTION The ISSI IS62WV5128ALL / IS62WV5128BLL are high speed, 4M bit static RAMs organized as 512K words by 8 bits. It is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields high performance and low 文件：286.39 Kbytes 页数：17 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV5128BLL-55T2	文件：85.39 Kbytes Page：14 Pages	512K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM 文件：85.39 Kbytes 页数：14 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV5128BLL-55T2I	文件：85.39 Kbytes Page：14 Pages	512K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM 文件：85.39 Kbytes 页数：14 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV5128BLL-55TI	文件：85.39 Kbytes Page：14 Pages	512K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM 文件：85.39 Kbytes 页数：14 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV5128BLL-55T2I-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：32-SOIC（0.400"，10.16mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS62WV5128BLL-55T2LI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：32-SOIC（0.400"，10.16mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

产品属性

产品编号：
IS62WV5128BLL-55T2I
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
4Mb（512K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
55ns
电压 - 供电：
2.5V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
32-SOIC（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装：
32-TSOP II
描述：
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 32TSOP II

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