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IS62WV51216GALL	文件：465.75 Kbytes Page：16 Pages	512Kx16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES • High-speed access time: 45ns, 55ns • CMOS low power operation – Operating Current: 35mA (max.) – CMOS standby Current: 5.5uA (typ.) • TTL compatible interface levels • Single power supply –1.65V-2.2V VDD (IS62/65WV51216GALL) – 2.2V-3.6V VDD (IS62/65WV51216GBLL) • Three state ou 文件：465.75 Kbytes 页数：16 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV51216GALL-55TLI	文件：465.75 Kbytes Page：16 Pages	512Kx16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES • High-speed access time: 45ns, 55ns • CMOS low power operation – Operating Current: 35mA (max.) – CMOS standby Current: 5.5uA (typ.) • TTL compatible interface levels • Single power supply –1.65V-2.2V VDD (IS62/65WV51216GALL) – 2.2V-3.6V VDD (IS62/65WV51216GBLL) • Three state ou 文件：465.75 Kbytes 页数：16 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV51216GBLL	文件：465.75 Kbytes Page：16 Pages	512Kx16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES • High-speed access time: 45ns, 55ns • CMOS low power operation – Operating Current: 35mA (max.) – CMOS standby Current: 5.5uA (typ.) • TTL compatible interface levels • Single power supply –1.65V-2.2V VDD (IS62/65WV51216GALL) – 2.2V-3.6V VDD (IS62/65WV51216GBLL) • Three state ou 文件：465.75 Kbytes 页数：16 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV51216HALL	文件：672.58 Kbytes Page：18 Pages	512Kx16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES  High-speed access time: 45ns, 55ns  CMOS low power operation – Operating Current: 25 mA (max.) – CMOS Standby Current: 3.2 uA (typ., 25°C)  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V-2.2V VDD (IS62/65WV51216HALL) – 2.2V-3.6V VDD (IS62/65WV51216HBLL)  Three 文件：672.58 Kbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV51216HBLL	文件：672.58 Kbytes Page：18 Pages	512Kx16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES  High-speed access time: 45ns, 55ns  CMOS low power operation – Operating Current: 25 mA (max.) – CMOS Standby Current: 3.2 uA (typ., 25°C)  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V-2.2V VDD (IS62/65WV51216HALL) – 2.2V-3.6V VDD (IS62/65WV51216HBLL)  Three 文件：672.58 Kbytes 页数：18 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

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