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IS62WV2568EALL-55BI	文件：809.91 Kbytes Page：16 Pages	256Kx8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES  High-speed access time: 45ns, 55ns  CMOS low power operation – Operating Current: 18 mA (max) at 85°C – CMOS Standby Current: 5.4uA (typ) at 25°C  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V-2.2V VDD (IS62WV2568EALL) – 2.2V-3.6V VDD (IS62/65WV2568EBLL)  Thre 文件：809.91 Kbytes 页数：16 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV2568EALL-55BLI	文件：809.91 Kbytes Page：16 Pages	256Kx8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES  High-speed access time: 45ns, 55ns  CMOS low power operation – Operating Current: 18 mA (max) at 85°C – CMOS Standby Current: 5.4uA (typ) at 25°C  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V-2.2V VDD (IS62WV2568EALL) – 2.2V-3.6V VDD (IS62/65WV2568EBLL)  Thre 文件：809.91 Kbytes 页数：16 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV2568EALL-55HLI	文件：809.91 Kbytes Page：16 Pages	256Kx8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES  High-speed access time: 45ns, 55ns  CMOS low power operation – Operating Current: 18 mA (max) at 85°C – CMOS Standby Current: 5.4uA (typ) at 25°C  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V-2.2V VDD (IS62WV2568EALL) – 2.2V-3.6V VDD (IS62/65WV2568EBLL)  Thre 文件：809.91 Kbytes 页数：16 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV2568EALL-55TLI	文件：809.91 Kbytes Page：16 Pages	256Kx8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES  High-speed access time: 45ns, 55ns  CMOS low power operation – Operating Current: 18 mA (max) at 85°C – CMOS Standby Current: 5.4uA (typ) at 25°C  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V-2.2V VDD (IS62WV2568EALL) – 2.2V-3.6V VDD (IS62/65WV2568EBLL)  Thre 文件：809.91 Kbytes 页数：16 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

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