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IS62WV25616EHBLL-45B4L

256Kx16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM with ECC

FEATURES • High-speed access time: 45ns, 55ns • CMOS low power operation – Operating Current: 32 mA (max.) – CMOS Standby Current: 3.2 uA (typ., 25°C) • TTL compatible interface levels • Single power supply –1.65V-2.2V VDD (IS62/65WV25616EHALL) – 2.2V-3.6V VDD (IS62/65WV25616EHBLL) • Opti

文件:551.8 Kbytes 页数:20 Pages

ISSI

矽成半导体

IS62WV25616EHBLL-45B4LI

256Kx16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM with ECC

FEATURES • High-speed access time: 45ns, 55ns • CMOS low power operation – Operating Current: 32 mA (max.) – CMOS Standby Current: 3.2 uA (typ., 25°C) • TTL compatible interface levels • Single power supply –1.65V-2.2V VDD (IS62/65WV25616EHALL) – 2.2V-3.6V VDD (IS62/65WV25616EHBLL) • Opti

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ISSI

矽成半导体

IS62WV2568BLL-55BLI-TR

TFBGA-36(6x8)

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

IS62WV2568EBLL-45TLI

TSOPI-32-8.0mm

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

IS62WV51216BLL-55TI

TSSOP44

ISSI

矽成半导体

上传:深圳庞田科技有限公司

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ISSI
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ISSI
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更多IS62WV25616EHBLL-45B4L供应商 更新时间2025-12-11 9:01:00