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IS62WV20488ALL_V01

2M x 8 HIGH-SPEED LOW POWER CMOS STATIC RAM

FEATURES • High-speed access times: 25, 35 ns • High-performance, low-power CMOS process • Multiple center power and ground pins for greater noise immunity • Fully static operation: no clock or refresh required • TTL compatible inputs and outputs • Single power supply – Vdd 1.65V to 2.2V

文件:572.61 Kbytes 页数:15 Pages

ISSI

矽成半导体

IS62WV25616BLL-55TLI

TSOP-44

ISSI

矽成半导体

上传:深圳市富利微电子科技有限公司

IS62WV25616EALL-55BLI

VFBGA-48(6x8)

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

IS62WV2568BLL-55BLI-TR

TFBGA-36(6x8)

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

IS62WV2568EBLL-45TLI

TSOPI-32-8.0mm

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

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ISSI
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ISSI Integrated Silicon Soluti
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ISSI
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ISSI, Integrated Silicon Solut
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ISSI, Integrated Silicon Solut
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ISSI, Integrated Silicon Solu
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更多IS62WV20488ALL_V01供应商 更新时间2025-11-24 14:26:00