IS62WV1288BLL-55HLI集成电路（IC）的存储器规格书PDF中文资料

厂商型号	IS62WV1288BLL-55HLI
参数属性	IS62WV1288BLL-55HLI 封装/外壳为32-TFSOP（0.465"，11.80mm 宽）；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32STSOP I
功能描述	128K x 8 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM
封装外壳	32-TFSOP（0.465"，11.80mm 宽）
文件大小	111.31 Kbytes
页面数量	15 页
生产厂商	ISSI
中文名称	矽成半导体
网址	网址
数据手册	下载地址一下载地址二
更新时间	2025-11-16 16:22:00
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IS62WV1288BLL-55HLI规格书详情

DESCRIPTION

The ISSI IS62WV1288ALL / IS62WV1288BLL are highspeed, 1M bit static RAMs organized as 128K words by 8 bits. It is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields high performance and low power consumption devices.

FEATURES

• High-speed access time: 45ns, 55ns, 70ns

• CMOS low power operation:

30 mW (typical) operating

15 µW (typical) CMOS standby

• TTL compatible interface levels

• Single power supply:

1.65V--2.2V VDD (62WV1288ALL)

2.5V--3.6V VDD (62WV1288BLL)

• Fully static operation: no clock or refresh required

• Three state outputs

• Industrial temperature available

• Lead-free available

产品属性

产品编号：
IS62WV1288BLL-55HLI
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
1Mb（128K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
55ns
电压 - 供电：
2.5V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
32-TFSOP（0.465"，11.80mm 宽）
供应商器件封装：
32-sTSOP I
描述：
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32STSOP I

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