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IS62WV12816EBLL-45BLI	文件：728.5 Kbytes Page：17 Pages	128Kx16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES  High-speed access time: 45ns, 55ns  CMOS low power operation – Operating Current: 18 mA (max) at 85°C – CMOS Standby Current: 5.4uA (typ) at 25°C  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V-2.2V VDD (IS62WV12816EALL) – 2.2V-3.6V VDD (IS62/65WV12816EBLL)  Th 文件：728.5 Kbytes 页数：17 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV12816EBLL-45BLI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-TFBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48MINIBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS62WV12816EBLL-45BLI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-TFBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48MINIBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS62WV12816EBLL-45TLI	文件：728.5 Kbytes Page：17 Pages	128Kx16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES  High-speed access time: 45ns, 55ns  CMOS low power operation – Operating Current: 18 mA (max) at 85°C – CMOS Standby Current: 5.4uA (typ) at 25°C  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V-2.2V VDD (IS62WV12816EALL) – 2.2V-3.6V VDD (IS62/65WV12816EBLL)  Th 文件：728.5 Kbytes 页数：17 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

产品属性

产品编号：
IS62WV12816EBLL-45BLI
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
2Mb（128K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
45ns
电压 - 供电：
2.2V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
48-TFBGA
供应商器件封装：
48-TFBGA（6x8）
描述：
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48MINIBGA

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