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IS62WV12816EALL_V01

128Kx16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

FEATURES  High-speed access time: 45ns, 55ns  CMOS low power operation – Operating Current: 18 mA (max) at 85°C – CMOS Standby Current: 5.4uA (typ) at 25°C  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V-2.2V VDD (IS62WV12816EALL) – 2.2V-3.6V VDD (IS62/65WV12816EBLL)  Th

文件:728.5 Kbytes 页数:17 Pages

ISSI

矽成半导体

IS62WV25616BLL-55TLI

TSOP-44

ISSI

矽成半导体

上传:深圳市富利微电子科技有限公司

IS62WV25616EALL-55BLI

VFBGA-48(6x8)

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

IS62WV2568BLL-55BLI-TR

TFBGA-36(6x8)

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

IS62WV2568EBLL-45TLI

TSOPI-32-8.0mm

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

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更多IS62WV12816EALL_V01供应商 更新时间2025-11-24 13:31:00