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IS62WV12816BLL-55BLI集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

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厂商型号

IS62WV12816BLL-55BLI

参数属性

IS62WV12816BLL-55BLI 封装/外壳为48-TFBGA;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48MINIBGA

功能描述

128K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM

封装外壳

48-TFBGA

文件大小

631.33 Kbytes

页面数量

17

生产厂商

ISSI

中文名称

矽成半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-15 15:30:00

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IS62WV12816BLL-55BLI规格书详情

FEATURES

• High-speed access time: 45ns, 55ns, 70ns

• CMOS low power operation

– 36 mW (typical) operating

– 9 μW (typical) CMOS standby

• TTL compatible interface levels

• Single power supply

– 1.65V--2.2V Vdd (62WV12816ALL)

– 2.5V--3.6V Vdd (62WV12816BLL)

• Fully static operation: no clock or refresh

required

• Three state outputs

• Data control for upper and lower bytes

• Industrial temperature available

• 2CS Option Available

• Lead-free available

产品属性

  • 产品编号:

    IS62WV12816BLL-55BLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 异步

  • 存储容量:

    2Mb(128K x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    55ns

  • 电压 - 供电:

    2.5V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    48-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    48-TFBGA(6x8)

  • 描述:

    IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48MINIBGA

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