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IS62WV102416FBLL-55BI	文件：596.63 Kbytes Page：16 Pages	1Mx16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES  High-speed access time: 45ns, 55ns  CMOS low power operation – Operating Current: 35mA (max.) – CMOS standby Current: 5.5uA (typ.)  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V-2.2V VDD (IS62/65WV102416FALL) – 2.2V-3.6V VDD (IS62/65WV102416FBLL)  Three state 文件：596.63 Kbytes 页数：16 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS62WV102416FBLL-55BLI	文件：596.63 Kbytes Page：16 Pages	1Mx16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM FEATURES  High-speed access time: 45ns, 55ns  CMOS low power operation – Operating Current: 35mA (max.) – CMOS standby Current: 5.5uA (typ.)  TTL compatible interface levels  Single power supply –1.65V-2.2V VDD (IS62/65WV102416FALL) – 2.2V-3.6V VDD (IS62/65WV102416FBLL)  Three state 文件：596.63 Kbytes 页数：16 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
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IS62WV25616BLL-55TLI	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSOP-44	ISSI 矽成半导体上传：深圳市富利微电子科技有限公司	ISSI

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更多IS62WV102416FBLL-55BI供应商更新时间2025-11-25 11:34:00

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