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IS62LV256-70T	文件：40.95 Kbytes Page：9 Pages	32K x 8 LOW VOLTAGE STATIC RAM DESCRIPTION TheISSIIS62LV256isaveryhigh-speed,lowpower,32,768-wordby8-bitstaticRAM.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOSdouble-metaltechnology. FEATURES •Accesstime:45,70ns •Lowactivepower:70mW •Lowstandbypower —45µWCMOSstandby •Fullystati	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
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IS62LV256-70RT	文件：40.95 Kbytes Page：9 Pages	32Kx8LOWVOLTAGESTATICRAM DESCRIPTION TheISSIIS62LV256isaveryhigh-speed,lowpower,32,768-wordby8-bitstaticRAM.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOSdouble-metaltechnology. FEATURES •Accesstime:45,70ns •Lowactivepower:70mW •Lowstandbypower —45µWCMOSstandby •Fullystati	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI

详细参数

型号：
IS62LV256-70T
功能描述：
静态随机存取存储器 256K 32Kx8 70ns 3.3v
RoHS：
否
制造商：
Cypress Semiconductor
存储容量：
16 Mbit
组织：
1 M x 16
访问时间：
55 ns
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
2.2 V
最大工作电流：
22 uA
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 40 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
TSOP-48
封装：
Tray

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