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IS61WV6416DALL_V01	文件：664.02 Kbytes Page：21 Pages	64K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM FEATURES HIGH SPEED: (IS61/64WV6416DALL/DBLL) • High-speed access time: 8, 10, 12, 20 ns • Low Active Power: 135 mW (typical) • Low Standby Power: 12 μW (typical) CMOS standby LOW POWER: (IS61/64WV6416DALS/DBLS) • High-speed access time: 25, 35 ns • Low Active Power: 55 mW (typical) • Low 文件：664.02 Kbytes 页数：21 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
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深圳市星辰微电科技有限公司	IS61WV6416DBLL	ISSI	23+	BGA	4500	ISSI存储芯片在售	询价
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更多IS61WV6416DALL_V01供应商更新时间2025-11-25 16:31:00