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IS61WV51216EEBLL-10B2LI	文件：871.04 Kbytes Page：20 Pages	512Kx16 HIGH SPEED AYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM with ECC FEATURES  High-speed access time: 8ns, 10ns, 20ns  Single power supply – 1.65V-2.2V VDD (IS61WV51216EEALL) – 2.4V-3.6V VDD (IS61/64WV51216EEBLL)  Error Detection and Correction with optional ERR1/ERR2 output pin: - ERR1 pin indicates 1-bit error detection and correction. - ERR2 pin ind 文件：871.04 Kbytes 页数：20 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61WV51216EEBLL-10B2LI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-TFBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-TFBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61WV51216EEBLL-10B2I	文件：871.04 Kbytes Page：20 Pages	512Kx16 HIGH SPEED AYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM with ECC FEATURES  High-speed access time: 8ns, 10ns, 20ns  Single power supply – 1.65V-2.2V VDD (IS61WV51216EEALL) – 2.4V-3.6V VDD (IS61/64WV51216EEBLL)  Error Detection and Correction with optional ERR1/ERR2 output pin: - ERR1 pin indicates 1-bit error detection and correction. - ERR2 pin ind 文件：871.04 Kbytes 页数：20 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

产品属性

产品编号：
IS61WV51216EEBLL-10B2LI
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
8Mb（512K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
10ns
电压 - 供电：
2.4V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
48-TFBGA
供应商器件封装：
48-TFBGA（6x8）
描述：
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 48TFBGA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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