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IS61WV25616EDBLL中文资料High Speed Low Power Asynchronous SRAM数据手册ISSI规格书

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厂商型号

IS61WV25616EDBLL

参数属性

IS61WV25616EDBLL 封装/外壳为48-TFBGA;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48MINIBGA

功能描述

High Speed Low Power Asynchronous SRAM

封装外壳

48-TFBGA

制造商

ISSI Integrated Silicon Solution, Inc

中文名称

矽成半导体 北京矽成半导体有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-28 12:01:00

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IS61WV25616EDBLL规格书详情

描述 Description

·Broad Solution:- x8, x16, and x32 configurations available- 5V/3.3V/1.8V VDD Power Supply- Commercial, Industrial, and Automotive Temperature (-40 °C to 125 °C) support- BGA, SOJ, SOP, sTSOP, TSOP packages available
·ECC feature available for High Speed Asynchronous SRAMs
·Long-term support

技术参数

  • 产品编号:

    IS61WV25616EDBLL-10BLI-TR

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 异步

  • 存储容量:

    4Mb(256K x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    10ns

  • 电压 - 供电:

    2.4V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    48-TFBGA

  • 供应商器件封装:

    48-TFBGA(6x8)

  • 描述:

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48MINIBGA

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