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IS61WV1288EEBLL_V01	文件：516 Kbytes Page：15 Pages	128K x 8 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC FEATURES • High-speed access time: 8, 10 ns • Low Active Power: 85 mW (typical) • Low Standby Power: 7 mW (typical) CMOS standby • Single power supply • Fully static operation: no clock or refresh required • Three state outputs • Industrial and Automotive temperature support • Lead-free 文件：516 Kbytes 页数：15 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
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更多IS61WV1288EEBLL_V01供应商更新时间2025-11-23 10:30:00