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IS61WV1288EEBLL-8BLI	文件：516 Kbytes Page：15 Pages	128K x 8 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC FEATURES • High-speed access time: 8, 10 ns • Low Active Power: 85 mW (typical) • Low Standby Power: 7 mW (typical) CMOS standby • Single power supply • Fully static operation: no clock or refresh required • Three state outputs • Industrial and Automotive temperature support • Lead-free 文件：516 Kbytes 页数：15 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61WV1288EEBLL-8BLI	文件：830.89 Kbytes Page：16 Pages	256K x 8 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC 文件：830.89 Kbytes 页数：16 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61WV1288EEBLL-8KLI	文件：830.89 Kbytes Page：16 Pages	256K x 8 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC 文件：830.89 Kbytes 页数：16 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61WV1288EEBLL-8TLI	文件：516 Kbytes Page：15 Pages	128K x 8 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC FEATURES • High-speed access time: 8, 10 ns • Low Active Power: 85 mW (typical) • Low Standby Power: 7 mW (typical) CMOS standby • Single power supply • Fully static operation: no clock or refresh required • Three state outputs • Industrial and Automotive temperature support • Lead-free 文件：516 Kbytes 页数：15 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61WV1288EEBLL-8TLI	文件：830.89 Kbytes Page：16 Pages	256K x 8 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC 文件：830.89 Kbytes 页数：16 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

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