IS61WV10248BLL资料datasheet下载供应价格-114ic电子网

首页 >IS61WV10248BLL>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
IS61WV10248BLL	文件：465.71 Kbytes Page：19 Pages	1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM FEATURES • High-speed access times: 8, 10, 20 ns • High-performance, low-power CMOS process • Multiple center power and ground pins for greater noise immunity • Easy memory expansion with CE and OE options • CE power-down • Fully static operation: no clock or refresh required • TTL compat 文件：465.71 Kbytes 页数：19 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61WV10248BLL	文件：198.94 Kbytes Page：20 Pages	1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 文件：198.94 Kbytes 页数：20 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61WV10248BLL-10MI	文件：465.71 Kbytes Page：19 Pages	1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM FEATURES • High-speed access times: 8, 10, 20 ns • High-performance, low-power CMOS process • Multiple center power and ground pins for greater noise immunity • Easy memory expansion with CE and OE options • CE power-down • Fully static operation: no clock or refresh required • TTL compat 文件：465.71 Kbytes 页数：19 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61WV10248BLL-10MLI	文件：465.71 Kbytes Page：19 Pages	1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM FEATURES • High-speed access times: 8, 10, 20 ns • High-performance, low-power CMOS process • Multiple center power and ground pins for greater noise immunity • Easy memory expansion with CE and OE options • CE power-down • Fully static operation: no clock or refresh required • TTL compat 文件：465.71 Kbytes 页数：19 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61WV10248BLL-10TI	文件：465.71 Kbytes Page：19 Pages	1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM FEATURES • High-speed access times: 8, 10, 20 ns • High-performance, low-power CMOS process • Multiple center power and ground pins for greater noise immunity • Easy memory expansion with CE and OE options • CE power-down • Fully static operation: no clock or refresh required • TTL compat 文件：465.71 Kbytes 页数：19 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61WV10248BLL-10TLI	文件：465.71 Kbytes Page：19 Pages	1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM FEATURES • High-speed access times: 8, 10, 20 ns • High-performance, low-power CMOS process • Multiple center power and ground pins for greater noise immunity • Easy memory expansion with CE and OE options • CE power-down • Fully static operation: no clock or refresh required • TTL compat 文件：465.71 Kbytes 页数：19 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61WV10248BLL-10MI	文件：198.94 Kbytes Page：20 Pages	1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 文件：198.94 Kbytes 页数：20 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61WV10248BLL-10MLI	文件：198.94 Kbytes Page：20 Pages	1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 文件：198.94 Kbytes 页数：20 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61WV10248BLL-10TI	文件：198.94 Kbytes Page：20 Pages	1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 文件：198.94 Kbytes 页数：20 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61WV10248BLL-10TLI	文件：198.94 Kbytes Page：20 Pages	1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM 文件：198.94 Kbytes 页数：20 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

详细参数

型号：
IS61WV10248BLL
功能描述：
静态随机存取存储器 8Mb 1Mb x 8 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v
RoHS：
否
制造商：
Cypress Semiconductor
存储容量：
16 Mbit
组织：
1 M x 16
访问时间：
55 ns
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
2.2 V
最大工作电流：
22 uA
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 40 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
TSOP-48
封装：
Tray

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星辰微电科技有限公司	IS61WV10248BLL	ISSI	23+	BGA	4500	ISSI存储芯片在售	询价
深圳市凌旭科技有限公司	IS61WV10248BLL-10TLI	ISSI	2016+	SSOP	2500	只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!	询价
深圳市粤科源兴科技有限公司	IS61WV10248BLL-10TLI	ISSI	13+	TSOP44	3031	原装分销	询价
深圳市恒创达实业有限公司	IS61WV10248BLL-10TLI	ISSI	17+	TSOP	6200	100%原装正品现货	询价
深圳市利加科技有限公司	IS61WV10248BLL-10TLI	ISSI	16+	TSOP44	8800	进口原装大量现货热卖中	询价
深圳市豪迈兴电子有限公司	IS61WV10248BLL-10TLI	ISSI	24+	TSOP	5825	公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!	询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司	IS61WV10248BLL-10TLI	ISSI	23+	44-TSOPII	209250	专业分销产品!原装正品!价格优势!	询价
深圳市海天鸿电子科技有限公司	IS61WV10248BLL-10MLI	ISSI	1701+	?	8450	只做原装进口,假一罚十	询价
深圳市达恩科技有限公司	IS61WV10248BLL-10TLI	ISSI	24+	SN	2216	进口原装正品优势供应	询价
上海专毅电子科技有限公司	IS61WV10248BLL-10TLI	ISSI	17+	TSSOP	9888	只做原装,现货库存	询价

更多IS61WV10248BLL供应商更新时间2025-12-10 14:09:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号