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IS61WV102416EDBLL-10B2LI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-TFBGA；包装：散装托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61WV102416EDBLL-10B2	文件：761.29 Kbytes Page：19 Pages	1Mx16 HIGH SPEED AYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM with ECC FEATURES  High-speed access time: 10ns, 12ns  Single power supply – 1.65V-2.2V VDD(IS61/64WV102416EDALL) – 2.4V-3.6V VDD (IS61/64WV102416EDBLL)  Error Detection and Correction with optional ERR1/ERR2 output pin: - ERR1 pin indicates 1-bit error detection and correction. - ERR2 pin indi 文件：761.29 Kbytes 页数：19 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61WV102416EDBLL-10B2I	文件：761.29 Kbytes Page：19 Pages	1Mx16 HIGH SPEED AYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM with ECC FEATURES  High-speed access time: 10ns, 12ns  Single power supply – 1.65V-2.2V VDD(IS61/64WV102416EDALL) – 2.4V-3.6V VDD (IS61/64WV102416EDBLL)  Error Detection and Correction with optional ERR1/ERR2 output pin: - ERR1 pin indicates 1-bit error detection and correction. - ERR2 pin indi 文件：761.29 Kbytes 页数：19 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61WV102416EDBLL-10B2L	文件：761.29 Kbytes Page：19 Pages	1Mx16 HIGH SPEED AYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM with ECC FEATURES  High-speed access time: 10ns, 12ns  Single power supply – 1.65V-2.2V VDD(IS61/64WV102416EDALL) – 2.4V-3.6V VDD (IS61/64WV102416EDBLL)  Error Detection and Correction with optional ERR1/ERR2 output pin: - ERR1 pin indicates 1-bit error detection and correction. - ERR2 pin indi 文件：761.29 Kbytes 页数：19 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

产品属性

产品编号：
IS61WV102416EDBLL-10B2LI-TR
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
散装托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
16Mb（1M x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
10ns
电压 - 供电：
2.4V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
48-TFBGA
供应商器件封装：
48-TFBGA（6x8）
描述：
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市斌腾达科技有限公司	IS61WV102416EDBLL-10B2LI-TR	ISSI, Integrated Silicon Solut	21+	60-TFBGA	5280	进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营	询价
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