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IS61WV102416ALL-20TLI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61WV102416ALL-20MI	文件：127.6 Kbytes Page：21 Pages	1M x 16 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY DESCRIPTION TheISSIIS61WV102416ALL/BLLandIS64WV102416BLL are high-speed, 16M-bit static RAMs organized as 1024K words by 16 bits. It is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields high-performance 文件：127.6 Kbytes 页数：21 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61WV102416ALL-20MI	文件：323.87 Kbytes Page：20 Pages	1M x 16 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY DESCRIPTION TheISSIIS61WV102416ALL/BLLandIS64WV102416BLL are high-speed, 16M-bit static RAMs organized as 1024K words by 16 bits. It is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields high-performance 文件：323.87 Kbytes 页数：20 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61WV102416ALL-20TI	文件：127.6 Kbytes Page：21 Pages	1M x 16 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY DESCRIPTION TheISSIIS61WV102416ALL/BLLandIS64WV102416BLL are high-speed, 16M-bit static RAMs organized as 1024K words by 16 bits. It is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields high-performance 文件：127.6 Kbytes 页数：21 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

产品属性

产品编号：
IS61WV102416ALL-20TLI-TR
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
16Mb（1M x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
20ns
电压 - 供电：
1.65V ~ 2.2V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
供应商器件封装：
48-TSOP I
描述：
IC SRAM 16MBIT PARALLEL 48TSOP I

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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