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IS61QDB42M36C-333M3LI	文件：783.79 Kbytes Page：30 Pages	4Mx18, 2Mx36 72Mb QUAD (Burst 4) SYNCHRONOUS SRAM FEATURES  2Mx36 and 4Mx18 configuration available.  Separate independent read and write ports with concurrent read and write operations.  Max. 400 MHz clock for high bandwidth  Synchronous pipeline read with late write operation.  Double Data Rate (DDR) interface for read and write input 文件：783.79 Kbytes 页数：30 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61QDB42M36C-400B4	文件：783.79 Kbytes Page：30 Pages	4Mx18, 2Mx36 72Mb QUAD (Burst 4) SYNCHRONOUS SRAM FEATURES  2Mx36 and 4Mx18 configuration available.  Separate independent read and write ports with concurrent read and write operations.  Max. 400 MHz clock for high bandwidth  Synchronous pipeline read with late write operation.  Double Data Rate (DDR) interface for read and write input 文件：783.79 Kbytes 页数：30 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61QDB42M36C-400B4L	文件：783.79 Kbytes Page：30 Pages	4Mx18, 2Mx36 72Mb QUAD (Burst 4) SYNCHRONOUS SRAM FEATURES  2Mx36 and 4Mx18 configuration available.  Separate independent read and write ports with concurrent read and write operations.  Max. 400 MHz clock for high bandwidth  Synchronous pipeline read with late write operation.  Double Data Rate (DDR) interface for read and write input 文件：783.79 Kbytes 页数：30 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61QDB42M36C-400M3	文件：783.79 Kbytes Page：30 Pages	4Mx18, 2Mx36 72Mb QUAD (Burst 4) SYNCHRONOUS SRAM FEATURES  2Mx36 and 4Mx18 configuration available.  Separate independent read and write ports with concurrent read and write operations.  Max. 400 MHz clock for high bandwidth  Synchronous pipeline read with late write operation.  Double Data Rate (DDR) interface for read and write input 文件：783.79 Kbytes 页数：30 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61QDB42M36C-400M3I	文件：783.79 Kbytes Page：30 Pages	4Mx18, 2Mx36 72Mb QUAD (Burst 4) SYNCHRONOUS SRAM FEATURES  2Mx36 and 4Mx18 configuration available.  Separate independent read and write ports with concurrent read and write operations.  Max. 400 MHz clock for high bandwidth  Synchronous pipeline read with late write operation.  Double Data Rate (DDR) interface for read and write input 文件：783.79 Kbytes 页数：30 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61QDB42M36C-400M3L	文件：783.79 Kbytes Page：30 Pages	4Mx18, 2Mx36 72Mb QUAD (Burst 4) SYNCHRONOUS SRAM FEATURES  2Mx36 and 4Mx18 configuration available.  Separate independent read and write ports with concurrent read and write operations.  Max. 400 MHz clock for high bandwidth  Synchronous pipeline read with late write operation.  Double Data Rate (DDR) interface for read and write input 文件：783.79 Kbytes 页数：30 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61QDB42M36C-400M3LI	文件：783.79 Kbytes Page：30 Pages	4Mx18, 2Mx36 72Mb QUAD (Burst 4) SYNCHRONOUS SRAM FEATURES  2Mx36 and 4Mx18 configuration available.  Separate independent read and write ports with concurrent read and write operations.  Max. 400 MHz clock for high bandwidth  Synchronous pipeline read with late write operation.  Double Data Rate (DDR) interface for read and write input 文件：783.79 Kbytes 页数：30 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61QDB42M36-250M3	文件：712.33 Kbytes Page：28 Pages	72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) QUAD (Burst of 4) Synchronous SRAMs 文件：712.33 Kbytes 页数：28 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61QDB42M36-300M3	文件：712.33 Kbytes Page：28 Pages	72 Mb (2M x 36 & 4M x 18) QUAD (Burst of 4) Synchronous SRAMs 文件：712.33 Kbytes 页数：28 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61QDB42M36A	文件：803.74 Kbytes Page：30 Pages	2Mx36 and 4Mx18 configuration available 文件：803.74 Kbytes 页数：30 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

详细参数

型号：
IS61QDB42M36
功能描述：
静态随机存取存储器 72M(2Mx36) 300ns Commercial Temp
RoHS：
否
制造商：
Cypress Semiconductor
存储容量：
16 Mbit
组织：
1 M x 16
访问时间：
55 ns
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
2.2 V
最大工作电流：
22 uA
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 40 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
TSOP-48
封装：
Tray

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