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IS61QDB41M18A

512Kx36 and 1Mx18 configuration available

文件:797 Kbytes 页数:30 Pages

ISSI

矽成半导体

IS61QDB41M18A-250M3L

Package:165-LBGA;包装:托盘 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IS61QDB41M18C

1Mx18, 512Kx36 18Mb QUAD (Burst 4) SYNCHRONOUS SRAM

FEATURES  512Kx36 and 1Mx18 configuration available.  On-chip Delay-Locked loop (DLL) for wide data valid window.  Separate independent read and write ports with concurrent read and write operations.  Synchronous pipeline read with late write operation.  Double Data Rate (DDR) interface

文件:811.89 Kbytes 页数:31 Pages

ISSI

矽成半导体

IS61QDB451236A-250M3L

FBGA-165(15x17)

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

IS61QDP2B42M36A-400M3L

FBGA-165(15x17)

ISSI(美国芯成)

上传:深圳市宇创芯科技有限公司

ISSI(美国芯成)

详细参数

  • 型号:

    IS61QDB41M18A

  • 功能描述:

    静态随机存取存储器 18Mb 1Mx18 165ball

  • RoHS:

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor

  • 存储容量:

    16 Mbit

  • 组织:

    1 M x 16

  • 访问时间:

    55 ns

  • 电源电压-最大:

    3.6 V

  • 电源电压-最小:

    2.2 V

  • 最大工作电流:

    22 uA

  • 最大工作温度:

    + 85 C

  • 最小工作温度:

    - 40 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    TSOP-48

  • 封装:

    Tray

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更多IS61QDB41M18A供应商 更新时间2026-2-4 8:02:00