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IS61QDB21M18A数据手册集成电路(IC)的存储器规格书PDF

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厂商型号

IS61QDB21M18A

参数属性

IS61QDB21M18A 封装/外壳为165-LBGA;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA

功能描述

QUAD SRAM

封装外壳

165-LBGA

制造商

ISSI Integrated Silicon Solution Inc

中文名称

北京矽成 北京矽成半导体有限公司

原厂标识
ISSI
数据手册

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更新时间

2025-8-5 11:01:00

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IS61QDB21M18A规格书详情

描述 Description

·18Mb, 36Mb, and 72Mb densities available
·x18 and x36 configurations available
·Burst of 2 or Burst of 4
·Commercial and Industrial Temperature support
·333MHz speed for QUAD and DDR-II
·550MHz speed for QUADP and DDR-IIP
·ODT and QVLD features for QUADP and DDR-IIP
·Long-term Support

技术参数

  • 产品编号:

    IS61QDB21M18A-250M3L

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 同步,QUAD

  • 存储容量:

    18Mb(1M x 18)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    1.71V ~ 1.89V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    165-LBGA

  • 供应商器件封装:

    165-LFBGA(15x17)

  • 描述:

    IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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