IS61NVP25672-200B1I-TR_集成电路(IC) 存储器-ISSI公司

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  • 厂家型号:

    IS61NVP25672-200B1I-TR

  • 制造商:

    ISSI/ISSI公司

  • 库存数量:

    0

  • 类别:

    集成电路(IC) 存储器

  • 封装外壳:

    209-BGA

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 更新时间:

    2024-5-24 13:02:00

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原厂料号:IS61NVP25672-200B1I-TR品牌:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

资料说明:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 209LFBGA

IS61NVP25672-200B1I-TR是集成电路(IC) > 存储器。制造商ISSI/ISSI公司生产封装209-BGA的IS61NVP25672-200B1I-TR存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

  • 芯片型号:

    is61nvp25672-200b1i-tr

  • 规格书:

    原厂下载 下载

  • 企业简称:

    ISSI【ISSI公司】详情

  • 厂商全称:

    Integrated Silicon Solution Inc

  • 中文名称:

    ISSI有限公司

  • 资料说明:

    IC SRAM 18MBIT PARALLEL 209LFBGA

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    IS61NVP25672-200B1I-TR

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 同步,SDR

  • 存储容量:

    18Mb(256K x 72)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    2.375V ~ 2.625V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    209-BGA

  • 供应商器件封装:

    209-LFBGA(14x22)

  • 描述:

    IC SRAM 18MBIT PARALLEL 209LFBGA

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