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IS61NLP25636B集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

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厂商型号

IS61NLP25636B

参数属性

IS61NLP25636B 封装/外壳为165-TBGA;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165TFBGA

功能描述

256K x 36 and 512K x 18 9Mb, PIPELINE NO WAIT STATE BUS SRAM

封装外壳

165-TBGA

文件大小

997.36 Kbytes

页面数量

37

生产厂商

ISSI

中文名称

矽成半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-26 18:33:00

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IS61NLP25636B规格书详情

FEATURES

• 100 percent bus utilization

• No wait cycles between Read and Write

• Internal self-timed write cycle

• Individual Byte Write Control

• Single R/W (Read/Write) control pin

• Clock controlled, registered address,

data and control

• Interleaved or linear burst sequence control using

MODE input

• Three chip enables for simple depth expansion

and address pipelining

• Power Down mode

• Common data inputs and data outputs

• CKE pin to enable clock and suspend operation

• JEDEC 100-pin QFP, 165-ball BGA and 119-ball

BGA packages

• Power supply:

NLP: Vdd 3.3V (± 5%), Vddq 3.3V/2.5V (± 5%)

NVP: Vdd 2.5V (± 5%), Vddq 2.5V (± 5%)

NVVP: Vdd 1.8V (± 5%), Vddq 1.8V (± 5%)

• JTAG Boundary Scan for BGA packages

• Industrial temperature available

• Lead-free available

产品属性

  • 产品编号:

    IS61NLP25636B-200B3LI-TR

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 同步,SDR

  • 存储容量:

    9Mb(256K x 36)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    165-TBGA

  • 供应商器件封装:

    165-TFBGA(13x15)

  • 描述:

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165TFBGA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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