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IS61NLP25636A-200TQLI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：100-LQFP；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61NLP25636A-200TQ	文件：261.57 Kbytes Page：37 Pages	256K x 36 and 512K x 18 9Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM DESCRIPTION The 9 Meg NLP/NVP product family feature high-speed, low-power synchronous static RAMs designed to provide a burstable, high-performance, no wait state, device for networking and communications applications. They are organized as 256K words by 36 bits and 512K words by 18 bits, fabric 文件：261.57 Kbytes 页数：37 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61NLP25636A-200TQI	文件：261.57 Kbytes Page：37 Pages	256K x 36 and 512K x 18 9Mb, PIPELINE (NO WAIT) STATE BUS SRAM DESCRIPTION The 9 Meg NLP/NVP product family feature high-speed, low-power synchronous static RAMs designed to provide a burstable, high-performance, no wait state, device for networking and communications applications. They are organized as 256K words by 36 bits and 512K words by 18 bits, fabric 文件：261.57 Kbytes 页数：37 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61NLP51218A-200TQLI-TR	文件：0 bytes Page：0 Pages	ISSI(美国芯成) LQFP-100(14x20)	ISSI(美国芯成) 上传：深圳市宇创芯科技有限公司	ISSI(美国芯成)
IS61NLP51236B-200B3LI	文件：0 bytes Page：0 Pages	ISSI(美国芯成) TFBGA-165(13x15)	ISSI(美国芯成) 上传：深圳市宇创芯科技有限公司	ISSI(美国芯成)

产品属性

产品编号：
IS61NLP25636A-200TQLI-TR
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步，SDR
存储容量：
9Mb（256K x 36）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3.135V ~ 3.465V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
100-LQFP
供应商器件封装：
100-LQFP（14x20）
描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

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