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IS61NLP12836B-200TQLI集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

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厂商型号

IS61NLP12836B-200TQLI

参数属性

IS61NLP12836B-200TQLI 封装/外壳为100-LQFP;包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

功能描述

128K x 32, 128K x 36, and 256K x 18 STATE BUS SRAM

封装外壳

100-LQFP

文件大小

528.09 Kbytes

页面数量

29

生产厂商

ISSI

中文名称

矽成半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-30 23:00:00

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IS61NLP12836B-200TQLI规格书详情

DESCRIPTION

The 4 Meg NLP/NVP product family feature high-speed, low-power synchronous static RAMs designed to provide a burstable, high-performance, no wait state, device for networking and communications applications. They are organized as 128K words by 32 bits, 128K words by 36 bits, and 256K words by 18 bits, fabricated with ISSIs advanced CMOS technology.

FEATURES

• 100 percent bus utilization

• No wait cycles between Read and Write

• Internal self-timed write cycle

• Individual Byte Write Control

• Single R/W (Read/Write) control pin

• Clock controlled, registered address, data and control

• Interleaved or linear burst sequence control using MODE input

• Three chip enables for simple depth expansion and address pipelining

• Power Down mode

• Common data inputs and data outputs

• CKE pin to enable clock and suspend operation

• JEDEC 100-pin TQFP, 165-ball PBGA and 119- ball PBGA packages

• Power supply:

NVP: Vdd 2.5V (± 5), Vddq 2.5V (± 5)

NLP: Vdd 3.3V (± 5), Vddq 3.3V/2.5V (± 5)

• Industrial temperature available

• Lead-free available

产品属性

  • 产品编号:

    IS61NLP12836B-200TQLI

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 同步,SDR

  • 存储容量:

    4.5Mb(128K x 36)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    100-LQFP

  • 供应商器件封装:

    100-LQFP(14x20)

  • 描述:

    IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ISSI(美国芯成)
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