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IS61NLP12836B-200B2	文件：528.09 Kbytes Page：29 Pages	128K x 32, 128K x 36, and 256K x 18 STATE BUS SRAM DESCRIPTION The4MegNLP/NVPproductfamilyfeaturehigh-speed,low-powersynchronousstaticRAMsdesignedtoprovideaburstable,high-performance,nowaitstate,devicefornetworkingandcommunicationsapplications.Theyareorganizedas128Kwordsby32bits,128Kwordsby36bits,and256K	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS61NLP12836B-200B2I	文件：528.09 Kbytes Page：29 Pages	128K x 32, 128K x 36, and 256K x 18 STATE BUS SRAM DESCRIPTION The4MegNLP/NVPproductfamilyfeaturehigh-speed,low-powersynchronousstaticRAMsdesignedtoprovideaburstable,high-performance,nowaitstate,devicefornetworkingandcommunicationsapplications.Theyareorganizedas128Kwordsby32bits,128Kwordsby36bits,and256K	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS61NLP12836B-200B2LI	文件：528.09 Kbytes Page：29 Pages	128K x 32, 128K x 36, and 256K x 18 STATE BUS SRAM DESCRIPTION The4MegNLP/NVPproductfamilyfeaturehigh-speed,low-powersynchronousstaticRAMsdesignedtoprovideaburstable,high-performance,nowaitstate,devicefornetworkingandcommunicationsapplications.Theyareorganizedas128Kwordsby32bits,128Kwordsby36bits,and256K	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS61NLP12836B-200B2LI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：119-BBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA	ETC	ETC
IS61NLP12836B-200B2LI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：119-BBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA	ETC	ETC

详细参数

型号：
IS61NLP12836B-200B2
功能描述：
静态随机存取存储器 4Mb 128Kx36 200Mhz Sync 静态随机存取存储器 3.3v
RoHS：
否
制造商：
Cypress Semiconductor
存储容量：
16 Mbit
组织：
1 M x 16
访问时间：
55 ns
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
2.2 V
最大工作电流：
22 uA
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 40 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
TSOP-48
封装：
Tray

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