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IS61NLF51236-7.5TQ	文件：544.38 Kbytes Page：35 Pages	256K x 72, 512K x 36 and 1M x 18 18Mb, FLOW THROUGH NO WAIT STATE BUS SRAM FEATURES • 100 percent bus utilization • No wait cycles between Read and Write • Internal self-timed write cycle • Individual Byte Write Control • Single Read/Write control pin • Clock controlled, registered address, data and control • Interleaved or linear burst sequence control using MO 文件：544.38 Kbytes 页数：35 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61NLF51236-7.5TQ	文件：251.56 Kbytes Page：35 Pages	256K x 72, 512K x 36 and 1M x 18 18Mb, FLOW THROUGH (NO WAIT) STATE BUS SRAM 文件：251.56 Kbytes 页数：35 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61NLF51236-7.5TQI	文件：544.38 Kbytes Page：35 Pages	256K x 72, 512K x 36 and 1M x 18 18Mb, FLOW THROUGH NO WAIT STATE BUS SRAM FEATURES • 100 percent bus utilization • No wait cycles between Read and Write • Internal self-timed write cycle • Individual Byte Write Control • Single Read/Write control pin • Clock controlled, registered address, data and control • Interleaved or linear burst sequence control using MO 文件：544.38 Kbytes 页数：35 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61NLF51236-7.5TQLI	文件：544.38 Kbytes Page：35 Pages	256K x 72, 512K x 36 and 1M x 18 18Mb, FLOW THROUGH NO WAIT STATE BUS SRAM FEATURES • 100 percent bus utilization • No wait cycles between Read and Write • Internal self-timed write cycle • Individual Byte Write Control • Single Read/Write control pin • Clock controlled, registered address, data and control • Interleaved or linear burst sequence control using MO 文件：544.38 Kbytes 页数：35 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
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IS61NLF51236-7.5TQI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：100-LQFP；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 100TQFP	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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详细参数

型号：
IS61NLF51236-7.5TQ
功能描述：
静态随机存取存储器 18Mb 512Kx36 7.5ns Sync 静态随机存取存储器 3.3v
RoHS：
否
制造商：
Cypress Semiconductor
存储容量：
16 Mbit
组织：
1 M x 16
访问时间：
55 ns
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
2.2 V
最大工作电流：
22 uA
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 40 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
TSOP-48
封装：
Tray

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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