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IS61LV6416-8T集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

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厂商型号

IS61LV6416-8T

参数属性

IS61LV6416-8T 封装/外壳为44-TSOP(0.400",10.16mm 宽);包装为托盘;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II

功能描述

64K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY

封装外壳

44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)

文件大小

146.94 Kbytes

页面数量

16

生产厂商

ISSI

中文名称

矽成半导体

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数据手册

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更新时间

2025-12-13 23:01:00

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IS61LV6416-8T规格书详情

DESCRIPTION

The ISSI IS61LV6416/IS61LV6416L is a high-speed, 1,048,576-bit static RAM organized as 65,536 words by 16 bits. It is fabricated using ISSIs high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields access times as fast as 8 ns with low power consumption.

FEATURES

• High-speed access time: 8, 10, 12 ns

• CMOS low power operation

— 61LV6416: 75 mW (typical) operating current 0.5 mW (typical) standby current

— 61LV6416L: 65 mW (typical) operating current 50 µW (typical) standby current

• TTL compatible interface levels

• Single 3.3V power supply

• Fully static operation: no clock or refresh required

• Three state outputs

• Data control for upper and lower bytes

• Industrial temperature available

• Lead-free available

产品属性

  • 产品编号:

    IS61LV6416-8TL-TR

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    托盘

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 异步

  • 存储容量:

    1Mb(64K x 16)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    8ns

  • 电压 - 供电:

    3.135V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    44-TSOP II

  • 描述:

    IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ISSI
24+
NA/
3421
原装现货,当天可交货,原型号开票
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ISS
23+
DIP
20000
全新原装假一赔十
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只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
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