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IS61LV51216-10T	文件：101.67 Kbytes Page：15 Pages	512K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS61LV51216-10T	文件：117.51 Kbytes Page：15 Pages	512K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
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IS61LV51216-10TI	文件：117.51 Kbytes Page：15 Pages	512K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
IS61LV51216-10TLI	文件：117.51 Kbytes Page：15 Pages	512K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
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IS61LV51216-10TLI	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61LV51216-10TLI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61LV51216-10M	文件：101.67 Kbytes Page：15 Pages	512Kx16HIGHSPEEDASYNCHRONOUS	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
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详细参数

型号：
IS61LV51216-10T
功能描述：
静态随机存取存储器 8Mb 512Kx16 10ns 3.3v
RoHS：
否
制造商：
Cypress Semiconductor
存储容量：
16 Mbit
组织：
1 M x 16
访问时间：
55 ns
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
2.2 V
最大工作电流：
22 uA
最大工作温度：
+ 85 C
最小工作温度：
- 40 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
TSOP-48
封装：
Tray

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