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IS61LV12824-8TQ	文件：77.67 Kbytes Page：13 Pages	128K x 24 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY DESCRIPTION TheISSIIS61LV12824isahigh-speed,staticRAMorganizedas131,072wordsby24bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldsaccesstimesasfastas8nswithlowpowercons	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
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IS61LV12824-8B	文件：77.67 Kbytes Page：13 Pages	128Kx24HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY DESCRIPTION TheISSIIS61LV12824isahigh-speed,staticRAMorganizedas131,072wordsby24bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldsaccesstimesasfastas8nswithlowpowercons	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI
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IS61LV12824-8BL	文件：77.67 Kbytes Page：13 Pages	128Kx24HIGH-SPEEDCMOSSTATICRAMWITH3.3VSUPPLY DESCRIPTION TheISSIIS61LV12824isahigh-speed,staticRAMorganizedas131,072wordsby24bits.ItisfabricatedusingISSIshigh-performanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupledwithinnovativecircuitdesigntechniques,yieldsaccesstimesasfastas8nswithlowpowercons	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc 北京矽成北京矽成半导体有限公司	ISSI

产品属性

产品编号：
IS61LV12824-8TQ
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 异步
存储容量：
3Mb（128K x 24）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
8ns
电压 - 供电：
3.135V ~ 3.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
100-LQFP
供应商器件封装：
100-LQFP（14x20）
描述：
IC SRAM 3MBIT PARALLEL 100TQFP

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