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IS61LV12816L-10BLI数据手册集成电路(IC)的存储器规格书PDF

厂商型号 |
IS61LV12816L-10BLI |
参数属性 | IS61LV12816L-10BLI 封装/外壳为48-TFBGA;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48MINIBGA |
功能描述 | 静态随机存取存储器 2Mb 128Kx16 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v |
封装外壳 | 48-TFBGA |
制造商 | ISSI Integrated Silicon Solution Inc |
中文名称 | 北京矽成 北京矽成半导体有限公司 |
原厂标识 | ISSI |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-5 23:01:00 |
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技术参数
- 产品编号:
IS61LV12816L-10BLI
- 制造商:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
卷带(TR)
- 存储器类型:
易失
- 存储器格式:
SRAM
- 技术:
SRAM - 异步
- 存储容量:
2Mb(128K x 16)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
10ns
- 电压 - 供电:
3.135V ~ 3.6V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
48-TFBGA
- 供应商器件封装:
48-TFBGA(6x8)
- 描述:
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 48MINIBGA
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
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