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IS61LPS51218B-200B2I

256K x 36, 256K x 32, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, Single CYCLE DESELECT STATIC RAM

FEATURES • Internal self-timed write cycle • Individual Byte Write Control and Global Write • Clock controlled, registered address, data and control • Burst sequence control using MODE input • Three chip enable option for simple depth expansion and address pipelining • Common data inputs a

文件:1.07251 Mbytes 页数:34 Pages

ISSI

矽成半导体

IS61LV12816L-10T

TSOP44

ISSI

矽成半导体

上传:深圳庞田科技有限公司

IS61LV12816L-10TL

TSOP44

ISSI

矽成半导体

上传:深圳市宏捷佳电子科技有限公司

IS61LV12816L-10T内存芯片

TSOP44

ISSI

矽成半导体

上传:深圳庞田科技有限公司

IS61LV256-15J

SOJ28

ISSI

矽成半导体

上传:深圳市勤思达科技有限公司

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更多IS61LPS51218B-200B2I供应商 更新时间2025-11-25 16:19:00