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IS61LPS25636A-200B3集成电路（IC）存储器规格书PDF中文资料
/165-TBGA.jpg)
| 厂商型号 |
IS61LPS25636A-200B3 |
| 参数属性 | IS61LPS25636A-200B3 封装/外壳为165-TBGA；包装为卷带（TR）；类别为集成电路（IC） > 存储器；产品描述：IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165TFBGA |
| 功能描述 | 256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT STATIC RAM |
| 文件大小 |
209.35 Kbytes |
| 页面数量 |
32 页 |
| 生产厂商 | Integrated Silicon Solution Inc |
| 企业简称 |
ISSI【北京矽成】 |
| 中文名称 | 北京矽成半导体有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-9-24 17:45:00 |
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IS61LPS25636A-200B3规格书详情
IS61LPS25636A-200B3属于集成电路（IC） > 存储器。北京矽成半导体有限公司制造生产的IS61LPS25636A-200B3存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
产品属性
更多- 产品编号：
IS61LPS25636A-200B3I-TR
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
卷带（TR）
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 同步，SDR
- 存储容量：
9Mb（256K x 36）
- 存储器接口：
并联
- 电压 - 供电：
3.135V ~ 3.465V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
165-TBGA
- 供应商器件封装：
165-TFBGA（13x15）
- 描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165TFBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI |
2016+ |
BGA |
6523 |
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2021+ |
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