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IS61LPS12836EC-200B3LI集成电路（IC）存储器规格书PDF中文资料
/165-TBGA.jpg)
| 厂商型号 |
IS61LPS12836EC-200B3LI |
| 参数属性 | IS61LPS12836EC-200B3LI 封装/外壳为165-TBGA；包装为托盘；类别为集成电路（IC） > 存储器；产品描述：IC SRAM 4.5MBIT PAR 165TFBGA |
| 功能描述 | 128K x36/32 and 256K x18 4Mb, ECC, SYNCHRONOUS PIPELINED, SINGLE CYCLE DESELECT SRAM |
| 文件大小 |
2.32368 Mbytes |
| 页面数量 |
36 页 |
| 生产厂商 | Integrated Silicon Solution Inc |
| 企业简称 |
ISSI【ISSI公司】 |
| 中文名称 | ISSI有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-14 18:09:00 |
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IS61LPS12836EC-200B3LI规格书详情
IS61LPS12836EC-200B3LI属于集成电路（IC） > 存储器。ISSI有限公司制造生产的IS61LPS12836EC-200B3LI存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
产品属性
- 产品编号：
IS61LPS12836EC-200B3LI
- 制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
托盘
- 存储器类型：
易失
- 存储器格式：
SRAM
- 技术：
SRAM - 同步，SDR
- 存储容量：
4.5Mb（128K x 36）
- 存储器接口：
并联
- 电压 - 供电：
3.135V ~ 3.465V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
165-TBGA
- 供应商器件封装：
165-TFBGA（13x15）
- 描述：
IC SRAM 4.5MBIT PAR 165TFBGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISSI, Integrated Silicon Solut |
21+ |
165-TBGA |
6000 |
正规渠道/品质保证/原装正品现货 |
询价 | ||
ISSI |
1931+ |
N/A |
493 |
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询价 | ||
ISSI(美国芯成) |
2021+ |
LQFP-100(14x20) |
499 |
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ISSI, |
21+ |
25000 |
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ISSI-矽成 |
24+25+/26+27+ |
165-BGA |
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ISSI |
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ISSI |
2023+ |
SMD |
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ISSI, Integrated Silicon Solut |
22+/23+ |
100-LQFP(14x20) |
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ISSI(美国芯成) |
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