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IS61LF51236B-7.5B3L集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

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厂商型号

IS61LF51236B-7.5B3L

参数属性

IS61LF51236B-7.5B3L 封装/外壳为165-TBGA;包装为散装;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA

功能描述

512K x36 and 1024K x18 18Mb, SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH SRAM

封装外壳

165-TBGA

文件大小

2.03174 Mbytes

页面数量

35

生产厂商

ISSI

中文名称

矽成半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-12 23:00:00

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IS61LF51236B-7.5B3L规格书详情

FEATURES

• Internal self-timed write cycle

• Individual Byte Write Control and Global Write

• Clock controlled, registered address, data and

control

• Burst sequence control using MODE input

• Three chip enable option for simple depth expansion and address pipelining

• Common data inputs and data outputs

• Auto Power-down during deselect

• Single cycle deselect

• Snooze MODE for reduced-power standby

• JEDEC 100-pin QFP, 165-ball BGA and 119-ball BGA packages

• Power supply:

LF: VDD 3.3V (± 5%), VDDQ 3.3V/2.5V (± 5%)

VF: VDD 2.5V (± 5%), VDDQ 2.5V (± 5%)

VVF: VDD 1.8V (± 5%), VDDQ 1.8V (± 5%)

• JTAG Boundary Scan for BGA packages

• Commercial, Industrial and Automotive temperature support

• Lead-free available

• For leaded options, please contact ISSI

产品属性

  • 产品编号:

    IS61LF51236B-7.5B3LI-TR

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    散装

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 同步,SDR

  • 存储容量:

    18Mb(512K x 36)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    165-TBGA

  • 供应商器件封装:

    165-TFBGA(13x15)

  • 描述:

    IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165TFBGA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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