IS61LF51232B数据手册市场行情矽成半导体-114ic电子网

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IS61LF51232B	文件：2.03174 Mbytes Page：35 Pages	512K x36 and 1024K x18 18Mb, SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH SRAM FEATURES • Internal self-timed write cycle • Individual Byte Write Control and Global Write • Clock controlled, registered address, data and control • Burst sequence control using MODE input • Three chip enable option for simple depth expansion and address pipelining • Common data inputs an 文件：2.03174 Mbytes 页数：35 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
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更多IS61LF51232B供应商更新时间2025-11-24 15:45:00