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IS61LF25636A-7.5TQ集成电路(IC)的存储器规格书PDF中文资料

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厂商型号

IS61LF25636A-7.5TQ

参数属性

IS61LF25636A-7.5TQ 封装/外壳为100-LQFP;包装为卷带(TR);类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

功能描述

256K x 36, 512K x 18 9 Mb SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH STATIC RAM

封装外壳

100-LQFP

文件大小

206.94 Kbytes

页面数量

32

生产厂商

ISSI

中文名称

矽成半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-2 10:20:00

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IS61LF25636A-7.5TQ规格书详情

DESCRIPTION

The ISSI IS61LF/VF25636A,IS64LF25636AandIS61LF/VF51218A are high-speed, low-power synchronous static RAMs designed to provide burstable, high-performance memory for communication and networking applications.

FEATURES

• Internal self-timed write cycle

• Individual Byte Write Control and Global Write

• Clock controlled, registered address, data and control

• Burst sequence control using MODE input

• Three chip enable option for simple depth expansion and address pipelining

• Common data inputs and data outputs

• Auto Power-down during deselect

• Single cycle deselect

• Snooze MODE for reduced-power standby

• JTAG Boundary Scan for PBGA package

• Power Supply

LF: Vdd 3.3V + 5, Vddq 3.3V/2.5V + 5

VF: Vdd 2.5V + 5, Vddq 2.5V + 5

• JEDEC 100-Pin TQFP, 119-pin PBGA, and 165-pin PBGA packages

• Lead-free available

• Automotive temperature available

产品属性

  • 产品编号:

    IS61LF25636A-7.5TQI-TR

  • 制造商:

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 存储器类型:

    易失

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 同步,SDR

  • 存储容量:

    9Mb(256K x 36)

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 供电:

    3.135V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    100-LQFP

  • 供应商器件封装:

    100-LQFP(14x20)

  • 描述:

    IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP

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