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IS61LF25618EC-7.5TQLI	文件：2.45247 Mbytes Page：36 Pages	128K x36/32 and 256K x18 4Mb, ECC, SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH SRAM 文件：2.45247 Mbytes 页数：36 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
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IS61LF25618EC-7.5TQLI-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：100-LQFP；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100LQFP	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS61LF25618EC-7.5TQ	文件：2.45247 Mbytes Page：36 Pages	128K x36/32 and 256K x18 4Mb, ECC, SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH SRAM 文件：2.45247 Mbytes 页数：36 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61LF25618EC-7.5TQI	文件：2.45247 Mbytes Page：36 Pages	128K x36/32 and 256K x18 4Mb, ECC, SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH SRAM 文件：2.45247 Mbytes 页数：36 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI
IS61LF25618EC-7.5TQL	文件：2.40485 Mbytes Page：36 Pages	128K x36/32 and 256K x18 4Mb, ECC, SYNCHRONOUS FLOW-THROUGH SRAM FEATURES  Internal self-timed write cycle  Individual Byte Write Control and Global Write  Clock controlled, registered address, data and control  Burst sequence control using MODE input  Three chip enable option for simple depth expansion and address pipelining  Common data inputs an 文件：2.40485 Mbytes 页数：36 Pages	ISSI 矽成半导体	ISSI

产品属性

产品编号：
IS61LF25618EC-7.5TQLI
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
易失
存储器格式：
SRAM
技术：
SRAM - 同步，SDR
存储容量：
4.5Mb（256K x 18）
存储器接口：
并联
电压 - 供电：
3.135V ~ 3.465V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
100-LQFP
供应商器件封装：
100-LQFP（14x20）
描述：
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100LQFP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IS61LF25618EC-7.5TQLI供应商更新时间2025-11-30 10:02:00

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